SK하이닉스, 세계 최초 10나노 D램 칩 개발

SK하이닉스, 10나노미터 칩메이킹 기술 6세대 적용한 16기가바이트 DDR5 칩(SK하이닉스)

세계에서 두 번째로 큰 메모리 칩 제조업체인 SK하이닉스는 목요일에 10나노미터 공정 기술의 6세대인 1c 노드를 사용하여 업계 최초로 16기가바이트 DDR5 칩을 개발했다고 밝혔습니다.

 

SK하이닉스에 따르면, 이 성공은 메모리 공정 기술에서 10나노미터에 가까운 수준으로의 극한 스케일링의 시작을 알린다.

SK하이닉스는 10nm 공정의 5세대인 1b에 대한 업계 선도적 기술을 바탕으로, 설계 완성도를 높여 기술적 한계를 극복한 최초의 기업이 됐습니다.

 

공정을 진행하는 과정에서 발생할 수 있는 잠재적 오류를 줄이고, 가장 성능이 뛰어난 DRAM으로 널리 인정받는 1b의 장점을 가장 효율적으로 전달하기 위해, 회사는 1b DRAM의 플랫폼을 확장하여 1c를 개발했습니다.

 

새로운 칩은 이전 세대에 비해 비용 경쟁력이 향상되었고, 설계 부문의 기술 혁신을 통해 생산성이 30% 이상 향상되었습니다.

 

고성능 데이터센터에 채택될 것으로 예상되는 이 제품의 작동 속도는 11% 향상되었습니다. 전력 효율성도 9% 이상 향상되어 SK하이닉스는 인공지능 시대의 진전으로 전력 소비가 증가하고 있는 가운데, 이 칩을 채택하면 데이터센터가 전기 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대합니다.

 

메모리 칩 제조업체는 신제품이 올해 안에 양산에 들어가고, 내년에는 대량 출하가 시작될 것이라고 밝혔습니다.

SK하이닉스 DRAM개발담당 김종환 사장은 "최고 성능과 원가 경쟁력을 갖춘 1c기술을 차세대 주요 제품에 적용해 고객에게 차별화된 가치를 제공하고자 최선을 다하고 있다"고 말했다.

 

그는 "우리는 DRAM 분야의 리더십과 가장 신뢰할 수 있는 AI 메모리 솔루션 공급업체로서의 입지를 유지하기 위해 계속 노력할 것입니다."라고 덧붙였습니다.

 

SK하이닉스가 세계 최초로 6세대 DRAM 칩을 개발한 가운데, 글로벌 패권을 향한 초미세 공정 경쟁이 치열해지고 있는 것으로 보인다.

 

세계 1위 메모리 칩 제조업체인 삼성전자는 올해 말 10nm 공정의 6세대를 양산한다고 밝혔습니다. 이 발표는 3월 캘리포니아에서 열린 MemCon에서 나왔습니다. 이는 SK하이닉스가 목요일에 공개한 양산 계획에 앞서 나온 것입니다.

업계 소식통에 따르면 삼성은 또한 7세대 10nm 칩 제조 기술 개발을 가속화하기 위해 팀을 구성했습니다.

 

미국의 마이크론 테크놀로지는 10nm 공정 기술의 6세대와 7세대 경쟁에서 두 한국의 메모리 칩 제조업체인 삼성전자와 SK하이닉스에 뒤처지는 듯하지만, 10nm 공정 기술의 4세대를 개발한 것은 마이크론이 처음이다.

 

마이크론은 1b 공정까지 극자외선 장비를 사용하지 않고 DRAM을 제조합니다. 반면 삼성은 EUV를 사용하는 DRAM 제조 기술을 확보했으며 1c 공정부터 EUV를 사용하여 격차를 줄일 계획입니다.

 

한편, 반도체 산업에서는 초미세 가공이 기술력의 핵심 지표로 남아 있기 때문에 글로벌 반도체 제조업체들 간의 치열한 경쟁이 앞으로도 한동안 계속될 것으로 예상하고 있습니다.

 

그러나 마이크로프로세싱의 발전이 한계에 도달했다는 예측이 나오는 가운데, 일부에서는 칩 통합을 극대화하도록 설계된 방법인 하이브리드 본딩으로 경쟁이 옮겨갈 것이라고 추측합니다.